Что такое транзистор?
Транзистор - это твердотельный полупроводниковый прибор (включая диоды, триоды, полевые трубки, тиристоры и т. Д. Иногда особенно биполярные устройства), который имеет множество функций, таких как обнаружение, выпрямление, усиление, переключатель, стабилизация напряжения, модуляция сигнала и т. Д. Транзистор, как переключатель переменного тока, может управлять выходным током в соответствии с входным напряжением. В отличие от обычных механических переключателей, таких как реле и переключатели, транзисторы используют электрические сигналы для управления их включением и выключением, поэтому скорость переключения может быть очень быстрой, а скорость переключения в лаборатории может достигать более 100 ГГц. Биполярные транзисторы.
Важность транзисторов, радиочастотных транзисторов
Транзистор, первоначально известный как полупроводниковый триод, представляет собой полупроводниковый прибор с двумя PN - переходами внутри и тремя выходными электродами снаружи. Он может усиливать и переключать электрические сигналы для широкого спектра применений. Входные и выходные ступени используют транзисторные логические схемы, известные как транзисторно - транзисторные логические схемы. Он известен как схема TTL в книгах, журналах и практических приложениях. Он относится к полупроводниковой интегральной схеме, в которой наиболее часто используются TTL и нетермеры. TTL - это система цепей, состоящая из нескольких транзисторов и резистивных элементов, которые концентрируются на небольшом кремниевом чипе и инкапсулируются в отдельный элемент. Транзистор является одним из наиболее широко используемых устройств в полупроводниковых триодах. Он представлен "V" или "VT" (старые символы - "Q", "GB" и т.д.).
Транзистор является одним из самых важных компонентов современных электроприборов. Транзисторы могут использоваться в больших масштабах, поскольку их можно производить в больших масштабах при очень низких удельных затратах.
В настоящее время используются миллионы отдельных транзисторов. Подавляющее большинство транзисторов собираются на микрочипах вместе с диодами, резисторами и конденсаторами для создания полных схем. Имитация, или цифры, или оба интегрированы в один чип. Стоимость проектирования и разработки сложного чипа довольно высока, но когда он производится, затраты на проектирование и разработку чипа делятся между миллионами чипов, поэтому стоимость каждого чипа на рынке обычно не очень дорогая. Логическая дверь содержит 20 транзисторов, в то время как современный микропроцессор использовал 289 миллионов транзисторов в 2005 году.
Особенно после того, как транзисторы стали играть все более важную роль в военном планировании и космической навигации, страны мира начали ожесточенную конкуренцию за доминирование в области электроники. Для миниатюризации электронных устройств люди любой ценой оказывают огромную финансовую поддержку электронной промышленности.
С тех пор как Флеминг изобрел вакуумный диод в 1904 году, а Де Форест изобрел вакуумный триод в 1906 году, электроника быстро развивалась как новая дисциплина. Однако настоящий быстрый прогресс в электронных технологиях должен начаться после изобретения транзистора. В частности, появление кристаллических труб PN открыло новую эру электронных устройств и вызвало революцию в электронных технологиях. Всего за десять лет развивающаяся транзисторная индустрия с ее непобедимыми амбициями и безрассудным импульсом молодежи быстро заменила позиции, которые она приобрела после многих лет борьбы, став лидером в области электронных технологий.
Классификация транзисторов
Материаловедение
В зависимости от полупроводниковых материалов, используемых в транзисторах, их можно разделить на кремниевые транзисторы и германиевые транзисторы. В зависимости от полярности транзистора его можно разделить на германиевый транзистор NPN, германиевый транзистор PNP, кремниевый транзистор NPN и кремниевый транзистор PNP.
Процесс
В соответствии со своей структурой и производственным процессом транзисторы можно разделить на диффузионные транзисторы, сплавные транзисторы и плоские транзисторы.
Текущая емкость
В зависимости от мощности тока транзисторы можно разделить на транзисторы низкой мощности, транзисторы средней мощности и транзисторы высокой мощности.
Частота работы
В зависимости от рабочей частоты транзисторы можно разделить на низкочастотные транзисторы, высокочастотные транзисторы и сверхвысокочастотные транзисторы.
Структура упаковки
В соответствии со структурой упаковки транзисторы можно разделить на транзисторы в металлических (золотых) упаковках, транзисторы в пластиковых (пластиковых) упаковках, транзисторы в стеклянных (стеклянных) упаковках и транзисторы в поверхностных (пластинчатых) упаковках, а также транзисторы в керамических упаковках. Форма упаковки разнообразна.
По функциям и целям
Транзисторы можно разделить на транзисторы с низким шумовым усилением, транзисторы со средним и высоким частотным усилением, транзисторы с низким частотным усилением, транзисторы с переключателем, транзисторы Дарлингтона, транзисторы с высоким напряжением, транзисторы с сопротивлением, транзисторы с затуханием, микроволновые транзисторы, Функции и применение фоточувствительных и магниточувствительных транзисторов.
Методы обнаружения транзисторов
1. Обычный тест на трубку Дарлингтона
Обычная трубка Дарлингтона состоит из двух или более транзисторных коллекторов, соединенных вместе, с несколькими эмиттерными переходами между базой B и эмиттером E. Универсальный R может быть использован для тестирования шестерни × 1 кОм или R × 10 кОм.
Измеряйте прямое и обратное сопротивление между электродами Дарлингтона. При нормальных условиях значение положительного сопротивления между коллектором C и базой B (при измерении трубки NPN черный зонд подключается к базовому полюсу B; при измерении трубки PNP черный зонд подключается к коллектору C) близко к положительному сопротивлению обычного кремниевого транзисторного коллекторного узла, от 3 до 10 кОм, а обратное сопротивление бесконечно велико. Позитивное сопротивление между эмиттером E и базой B (при измерении трубки NPN черный зонд подключается к базовому полюсу B; при измерении трубки PNP черный зонд подключается к эмиттеру E) в 2 - 3 раза больше, чем положительное сопротивление между коллектором C и базой, а обратное сопротивление бесконечно велико. Значения положительного и обратного сопротивления между коллектором C и эмиттером e должны быть близки к бесконечности. Если измеренное положительное и обратное сопротивление между C - и E - полюсами трубки Дарлингтона или между B -, E -, B - и C - полюсами приближается к нулю, это указывает на неисправность и повреждение трубки. Если измеренное положительное и обратное сопротивление между полюсами B, e и C трубки Дарлингтона бесконечно велико, это указывает на то, что трубка была открыта для повреждения.
2. Тестирование мощной трубки Дарлингтона
Мощный Дарлингтон добавляет защитную цепь, состоящую из диода непрерывного тока и разрядного сопротивления, на основе обычной трубки Дарлингтона. При измерении следует учитывать влияние этих компонентов на измеренные данные.
Мультиметр R×1 KОм или R×10 KОм измеряет значение положительного и обратного сопротивления коллекторного контакта трубки Дарлингтона (между коллектором C и базой B). При нормальных условиях значение положительного сопротивления (когда основание трубки NPN соединено с черным зондом) должно быть меньше, от 1 до 10 кОм, а значение обратного сопротивления должно быть близко к бесконечности. Если измеренные значения положительного и обратного сопротивления коллекторного перехода очень малы или бесконечны, это указывает на то, что трубка вышла из строя, короткое замыкание или повреждение при включении.
Мультиметр Rx100, измеряющий положительное и обратное сопротивление между эмиттером E и базой B трубки Дарлингтона, Нормальная величина составляет от нескольких сотен Ом до нескольких тысяч Ом (конкретные данные варьируются в зависимости от величины сопротивления двух резисторов между полюсами B и E. Например, положительное и обратное сопротивление между полюсами B и E мощных трубк Дарлингтона, таких как bu932r и mj10025, составляет около 600 Ом). Если измеренное сопротивление равно нулю или бесконечности, Это указывает на то, что измеренный транзистор поврежден.
мультиметр RxL k Ом или Rx10 k Ом для измерения значения положительного и обратного сопротивления между эмиттером E и коллектором C трубки Дарлингтона. В нормальных условиях значение положительного сопротивления (при измерении трубки NPN черный зонд соединяет эмиттер E, красный зонд соединяет коллектор C); При измерении трубки PNP черный зонд подключается к коллектору C, красный зонд подключается к эмиттеру E) должен быть 5 ~ 15 кОм (bu932r - 7 кОм), значение обратного сопротивления должно быть бесконечным, в противном случае C - и E - полюсы (или диоды) трубки будут отключены или повреждены.
